【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种掺杂区的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，且所述半导体基体包括至少一沟槽；形成介电层于所述半导体基底上，且所述介电层完全覆盖所述沟槽；形成保护层部分覆盖所述沟槽，且所述介电层位于所述保护层以及所述沟槽之间；在所述沟槽中形成含掺杂剂的导电层；以及进行退火工艺。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈逸男，徐文吉，叶绍文，刘献文，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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