【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种硬掩膜层结构制造方法，其特征在于，包括：提供一形成有含碳低K介质层的半导体衬底；通过无氧等离子体增强沉积法在所述含碳低K介质层上形成第一TEOS硬掩膜层；以及通过有氧等离子体增强沉积法在所述第一TEOS硬掩膜层上形成第二TEOS硬掩膜层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：邓浩，周鸣，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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