Nand Flash 存储器及实现 Nand Flash 存储器连续读操作的方法技术

本发明专利技术公开了一种Nand?Flash存储器及实现Nand?Flash存储器连续读操作的方法，该Nand?Flash存储器的Flash存储器单元阵列中的存储页分为奇存储页和偶存储页，每一奇存储页对应一奇字线，每一偶存储页对应一偶字线；该Nand?Flash存储器的奇灵敏放大器和偶灵敏放大器根据读指令中地址信息对应的连续两个奇字线和偶字线分别同时读取Flash存储器单元阵列中对应的连续两个奇存储页和偶存储页，并将读取的奇存储页的数据和偶存储页的数据送至外部接口；其中，在将读取的偶存储页的数据送至外部接口的同时，奇灵敏放大器和偶灵敏放大器根据新的读指令中地址信息对应的连续两个奇字线和偶字线分别同时读取Flash存储器单元阵列中对应的连续两个奇存储页和偶存储页。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种Nand?Flash存储器，其特征在于，包括：Flash存储器单元阵列和灵敏放大器模块，其中所述灵敏放大器模块用于根据读指令中的地址信息从所述Flash存储器单元阵列中读取连续多个存储页的数据，并将读取的所述多个存储页的数据送至外部接口，其中，在将读取的第2个存储页或其后任一存储页的数据送至外部接口的同时，所述灵敏放大器模块根据新的读指令中的地址信息分别同时读取所述Flash存储器单元阵列中对应的连续多个存储页的数据。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：苏志强，丁冲，张现聚，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：