【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种PVT法生长SiC晶体的籽晶固定方法，其特征在于包括，将所述籽晶晶片边缘通过粘结剂粘接于具有一定宽度以能可靠粘结固定所述籽晶的环形连接件的一端面；将所述连接件套装在端部周边边缘开槽、且所述槽尺寸与所述连接件匹配的籽晶托上，使所述连接件可靠固定于所述籽晶托，并使所述籽晶晶片紧贴所述端部的端面。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孔海宽，忻隽，陈建军，严成锋，刘熙，肖兵，杨建华，施尔畏，
申请(专利权)人：上海硅酸盐研究所中试基地，中国科学院上海硅酸盐研究所，
类型：发明
国别省市：
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