使用氧化硅多层结构的减少的图案化负载制造技术

本发明专利技术揭示的各方面有关于在图案化基板上沉积共形氧化硅多层的方法。所述共形氧化硅多层各自通过沉积多个子层而形成。子层是通过以下步骤沉积的：将双（二乙基胺基）硅烷(BIS(DIETHYLAMINO)SILANE,BDEAS)与含氧前驱物流入处理腔室，使得在整个图案化基板表面上达成相对均匀的介电质生长速率。在形成子层后可接着有等离子体处理，以进一步改善共形度并且减少共形氧化硅多层膜的湿蚀刻速率。根据实施例生长的共形氧化硅多层的沉积对图案密度的依赖减少，同时仍适合用于非牺牲性的应用。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·巴蒂亚，P·E·吉，S·文卡特拉马，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：
国别省市：