发光二极管的具有堆栈型散射层的半导体层及其制作方法技术

技术编号:9278145 阅读:130 留言:0更新日期:2013-10-25 00:03
一种发光二极管的具有堆栈型散射层的半导体层及其制作方法,其是用以提升外部量子效率,半导体层之内包含有粗化面及两层散射层,两层散射层是以堆栈方式而形成于粗化面之上,两层散射层的表面亦为不平坦且呈现高低起伏状的表面,且两层散射层所使用材料的折射系数为相异于彼此,利用散射层作为光的散射接口,使得自发光层放射的光子能藉由散射层的散射效应而转向,藉以提升光子逃逸出发光二极管之外的几率,如此可降低全反射发生的几率,藉以达成提升外部量子效率的目的。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种发光二极管的具有堆栈型散射层的半导体层,其是用以提升外部量子效率,该发光二极管的具有堆栈型散射层的半导体层包含有一半导体层,其中本专利技术的特征在于:该半导体层之内进一步包含有一粗化面及至少两层散射层,该粗化面为不平整表面,该至少两层散射层是以堆栈方式而形成于该粗化面之上,该至少两层散射层的表面亦为不平坦且呈现高低起伏状的表面,该至少两散射层的材料为一氮化物系基材,但该至少两层散射层的材料折射系数须为不同,亦即任两相邻的散射层的材料折射系数须为不同。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:林文禹武良文
申请(专利权)人:璨圆光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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