半导体结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括一第一导电型的一衬底；一第二导电型的一深阱，形成于衬底内并由衬底表面向下扩展；第一导电型的一第一阱，是由衬底表面向下扩展并形成于深阱内，第一阱包括一块状区(block?region)和连接块状区一端的多个指状区(fingerregions)；和第二导电型的一第二阱，是于深阱内由衬底的表面向下扩展并邻接第一阱，且第二阱包括多个通道区与该多个指状区交错设置，以间隔开该多个指状区。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体结构，包括：一第一导电型的一衬底；一第二导电型的一深阱，形成于该衬底内并由该衬底的表面向下扩展；一第一阱为该第一导电型，是由该衬底的表面向下扩展并形成于该深阱内，该第一阱包括：一块状区(block?region)；和多个指状区(finger?regions)，连接该块状区的一端；和一第二阱为该第二导电型，是于该深阱内由该衬底的表面向下扩展并邻接该第一阱，且该第二阱包括多个通道区与该多个指状区交错设置，以间隔开该多个指状区。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林镇元，林正基，詹景琳，连士进，吴锡垣，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：