栅氧化层陷阱密度及位置的测试方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种栅氧化层陷阱密度及位置的测试方法及装置，涉及MOS器件质量、可靠性测试技术领域。本方法包括步骤：S1、在源端和漏端接入负电压，衬底端接地，使pn结正向偏置；S2、pn结正向偏置后，在栅极接入栅极直流扫描电压，按从负电压到正电压的方法进行扫描，使器件表面从积累状态变为弱反型状态；在扫描过程中对衬底端进行测量，得到衬底电流；S3、建立衬底电流与栅极直流扫描电压的第一I-V曲线；S4、对栅极施加一个固定电压，重复步骤S1～S3多次，得到多条第二I-V曲线；通过对多条第二I-V曲线底部高度的测量，得到pn结的陷阱密度。本发明专利技术能够测量出pn结的陷阱密度以及对陷阱的位置进行定位，进而对器件设计进行改进，来减少陷阱的产生。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种栅氧化层陷阱密度及位置的测试方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在源端和漏端接入负电压，衬底端接地，使pn结正向偏置；S2、所述pn结正向偏置后，在栅极接入栅极直流扫描电压，按照从负电压到正电压的方法进行扫描，使器件表面从积累状态变换为弱反型状态；在所述栅极直流扫描电压扫描过程中对所述衬底端进行测量，得到衬底电流；S3、建立所述衬底电流与所述栅极直流扫描电压的第一I?V曲线；S4、对所述栅极施加一个固定电压，然后重复步骤S1～S3多次，得到多条所述衬底电流与所述栅极直流扫描电压第二I?V曲线；通过对多条第二I?V曲线底部高度的测量，得到pn结的陷阱密度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：何燕冬，韦超，张钢刚，张兴，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：