【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种鳍型半导体器件的制造方法，包括：在衬底的有源区上形成硬掩膜层；蚀刻所述衬底以在所述有源区之间形成浅沟道；填充所述浅沟道并对所述衬底进行平坦化处理；去除所述硬掩膜层；在所述有源区上通过选择性外延技术来形成鳍片。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：涂火金，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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