高介电常数金属栅极制造方法技术

本发明专利技术公开了一种高介电常数金属栅极制造方法，包括：在衬底上依次形成界面层、高介电常数栅介质层、多晶硅层和硬掩膜层；在硬掩膜层形成图形化的光刻胶，利用图形化的光刻胶刻蚀掉部分硬掩膜层；刻蚀掉未被硬掩膜层覆盖的多晶硅层；在前一步骤所形成的结构表面上沉积刻蚀阻挡层；去除覆盖于栅介质层上的刻蚀阻挡层以及露出的栅介质层和界面层；在衬底上沉积介质层；去除剩余的硬掩膜层和多晶硅层，并在露出的栅介质层上沉积金属栅极，以形成高介电常数金属栅极。本发明专利技术方法所形成的金属栅极的宽度小于高介电常数栅介质层的宽度，因此在金属栅极和衬底之间便不易产生能够绕过高介电常数栅介质层的漏电流，进而可以提高半导体器件的性能。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种高介电常数金属栅极制造方法，包括：提供衬底，在所述衬底上依次形成界面层、高介电常数栅介质层、多晶硅层以及硬掩膜层；在所述硬掩膜层上形成图形化的光刻胶，利用图形化的光刻胶对所述硬掩膜层进行刻蚀，并去除所述图形化的光刻胶；刻蚀掉未被所述硬掩膜层覆盖的多晶硅层，并露出所述高介电常数栅介质层；在前一步骤所形成的结构表面上沉积刻蚀阻挡层；依次去除覆盖于高介电常数栅介质层上的刻蚀阻挡层，以及之后所露出的高介电常数栅介质层和界面层，直到露出所述衬底；在所露出的衬底上沉积介质层；依次去除剩余的硬掩膜层和多晶硅层，并在露出的高介电常数栅介质层上沉积金属栅极，以形成高介电常数金属栅极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李凤莲，倪景华，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：