一种通过改变多晶硅片磷源成分提高扩散质量的方法技术

本发明专利技术公开了一种通过改变多晶硅片磷源成分提高扩散质量的方法，涉及半导体器件的制作方法技术领域。包括以下步骤：（1）在三氯氧磷中加入三氯化磷作为磷源；（2）氧化：将制好绒面的多晶硅片放置在扩散炉内通入氧气；（3）沉积：在扩散炉内通入携带有磷源和氧气的混合气体；（4）扩散：扩散炉保持一定温度，使沉积的磷向硅片内部进行扩散。所述方法提高了多晶硅片内少子的寿命，有利于提升扩散的吸杂效果，减小高温过程带来的晶格损伤，进而提高光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种通过改变多晶硅片磷源成分提高扩散质量的方法，其特征在于包括以下步骤：（1）在三氯氧磷中加入三氯化磷作为磷源；（2）氧化：将制好绒面的多晶硅片放置在扩散炉内通入氧气；（3）沉积：在扩散炉内通入携带有磷源和氧气的混合气体；?（4）扩散：扩散炉保持一定温度，使沉积的磷向硅片内部进行扩散。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：马桂艳，
申请(专利权)人：英利能源中国有限公司，
类型：发明
国别省市：