一种可控同位素中子体源产生装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种可控同位素中子体源产生装置，包括上密封筒、下密封筒、调节装置、密封装置、铍片群、α粒子发射核素镀片群；调节装置包括设置在上密封筒上端部且可自转的旋转主杆以及固定在旋转主杆顶端的旋转把手；密封装置包括波纹管和连接体；连接体包括底面以及设置在底面上方且开口向上的螺纹孔；上密封筒和下密封筒密封连接；波纹管设置在下密封筒内，其上端开口与上密封筒下端开口密封连接，其下端开口与连接体底面密封。本发明专利技术针对同位素中子源的不可控性带来的安全和机动性差等问题，提出了一种可控的同位素中子体源产生装置。该装置通过控制两种反应核素的贴近和拉远来实现中子的产生和消失，达到可控目的。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种可控同位素中子体源产生装置，包括上密封筒(3)、下密封筒(11)、调节装置、密封装置、铍片群(9)、α粒子发射核素镀片群(10)；所述调节装置包括设置在上密封筒上端部且可自转的旋转主杆(2)以及固定在旋转主杆顶端的旋转把手(1)；所述密封装置包括波纹管(7)和连接体(8)；所述连接体包括底面以及设置在底面上方且开口向上的螺纹孔（18）；所述上密封筒(3)和下密封筒(11)密封连接；所述波纹管(7)设置在下密封筒(11)内，其上端开口与上密封筒(3)下端开口密封连接，其下端开口与连接体(8)底面密封；所述旋转主杆(2)的底端部与连接体(8)的螺纹孔（18）形成螺纹连接；所述铍片群(9)位于下密封筒(11)内且固定于连接体(8)底面下方；所述α粒子发射核素镀片群(10)固定于下密封筒(11)内侧底面；所述铍片群(9)包括多个平行设置的上基片，所述上基片为铍金属片或镀有铍金属的金属片；所述α粒子发射核素镀片群(10)包括多个平行设置的下基片；所述下基片为镀有α粒子发射核素的金属片；所述铍片群(9)的片数比α粒子发射核素镀片群(10)的片数多1片；所述铍片群(9)的多个上基片和α粒子发射核素镀片群(10)的多个下基片交叉放置且互不接触，且最外层为上基片。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李雪松，欧阳晓平，姜文刚，张佳媚，倪建忠，余功硕，解峰，
申请(专利权)人：西北核技术研究所，
类型：发明
国别省市：