【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种压阻式压力传感器，由上而下包括：压力传感SOI硅片，其下表面包括第一键合种子金属层；真空键合封接片，其上表面包括第二键合种子金属层，该第二键合种子金属层与压力传感SOI硅片下表面的第一键合种子金属层通过含锡合金焊料共晶真空键合在一起。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杜利东，赵湛，方震，肖丽，陈继超，刘启明，
申请(专利权)人：中国科学院电子学研究所，
类型：发明
国别省市：
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