【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种掺镓晶体硅中金属镓的使用方法，其特征是：包括镓的前期处理，盛镓硅原料的处理和镓的放置，其中盛镓硅原料的处理包括在至少部分硅原料上打孔，镓的放置为将镓置于硅原料的孔中，且在装料时将装有镓的硅原料设置在总装料高度的2/3以下位置。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黄新明，顾海泉，明亮，张兆玉，钟根香，
申请(专利权)人：东海晶澳太阳能科技有限公司，南京工业大学，
类型：发明
国别省市：
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