硼-镓共掺高效多晶硅及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种硼-镓共掺高效多晶硅，含有浓度为1×1014～2×1016cm-3的硼或磷，以及浓度为1×1016～2×1018cm-3的金属镓，所述硼-镓共掺高效多晶硅的光致衰减率低于0.5%。还公开了上述硼-镓共掺高效多晶硅制备方法，该硼-镓共掺高效多晶硅，其电池转换效率高，而光致衰减率低于业内普通多晶硅电池片的光致衰减率。该制备方法工艺简便、易操作、成本低、可规模化生产。可用于制造高效率的薄片太阳能电池，由于硅晶体中硼-镓共掺的作用，大大降低或避免了硼氧复合体的产生，降低了电池的光致衰减，在光照下具有很好的稳定性，是高效率太阳能电池的理想材料。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种硼?镓共掺高效多晶硅，其特征是：含有浓度为1×1014～2×1016?cm?3的硼或磷，以及浓度为1×1016～2×1018?cm?3的金属镓，所述硼?镓共掺高效多晶硅的光致衰减率低于0.5%。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄新明，张兆玉，明亮，顾海泉，钟根香，
申请(专利权)人：东海晶澳太阳能科技有限公司，南京工业大学，
类型：发明
国别省市：