一种用于大截面KDP类晶体生长的载晶架及生长方法技术

技术编号:9272273 阅读:132 留言:0更新日期:2013-10-24 21:25
本发明专利技术涉及一种用于大截面KDP类晶体生长的载晶架,包括上横板、下横板、两个侧柱以及籽晶杆,两个侧柱与上、下横板围成“口”字形结构,从侧柱方向看为“工”字形,籽晶杆固定于所述上横板外表面的中间位置。本发明专利技术还提供了一种大截面KDP类晶体的生长方法,采用本发明专利技术提供的载晶架进行晶体的生长。本发明专利技术提供的载晶架,对现有载晶架的结构进行了改进,减少了载晶架旋转时对溶液的扰动作用,使得生长均匀、高质量的晶体成为可能。本发明专利技术提供的KDP类晶体生长方法可以提高晶体的利用率,减少了晶体加工环节。与传统生长方法相比,具有利用率高、节约生长原料、周期短、降低成本消耗等优点。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种用于大截面KDP类晶体生长的载晶架,其特征在于,包括上横板、下横板、两个侧柱以及籽晶杆;其中,两个侧柱与上、下横板围成“口”字形结构,从侧柱方向看为“工”字形;所述籽晶杆固定于所述上横板外表面的中间位置。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:胡章贵涂衡
申请(专利权)人:中国科学院理化技术研究所
类型:发明
国别省市:

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