一种并联IGBT功率单元制造技术

技术编号:9254800 阅读:112 留言:0更新日期:2013-10-16 21:14
本发明专利技术公开了一种并联IGBT功率单元,包括上、下桥IGBT模组,每个IGBT模组包括至少两个并联的IGBT模块,还包括分别与两IGBT模组对应连接的上、下母排,上母排设有用于连接第一主母排的第一出线端、用于连接电容的第一电容连接端,下母排设有用于连接第二主母排的第二出线端、用于连接电容的第二电容连接端。本发明专利技术并联IGBT功率单元采用两个IGBT模组及与每个模组对应连接的两个结构相同的母排,将每个母排上用于连接主母排的出线端和用于连接电容的电容连接端到对应母排上各IGBT模块对应位置的对接连接端子和电容连接端子采用等长的铜排导电连接,每个母排上的连接IGBT的母排做到了等长,保证了各母排上并联IGBT模块均流度,解决了在IGBT并联时所产生的不均流问题。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种并联IGBT功率单元,包括上、下桥IGBT模组,每个IGBT模组包括至少两个并联的IGBT模块,其特征在于:还包括分别与上、下桥IGBT模组对应连接的上、下母排,上母排设有用于连接第一主母排的第一出线端、用于连接电容的第一电容连接端,下母排设有用于连接第二主母排的第二出线端、用于连接电容的第二电容连接端,上母排上设有与第一出线端导电连接的与各个IGBT模块一一对应的两个以上的上对接端,下母排上设有用于与各个上对接端对接固连的下对接端,上、下母排上设有与各个IGBT模块的端子分别对应连接的上、下连接端子组,各上连接端子组均包括上对接连接端子、上电容连接端子,各下连接端子组均包括下对接连接端子、下电容连接端子和与第二出线端导电连接的第二出线端子,各上、下对接连接端子与相应的上、下对接端通过等长的铜排导电连接,各上、下电容连接端子与相应第一、二电容连接端通过等长的铜排导电连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:姚为正安昱刘刚孙健夏克鹏孟向军李海鲲
申请(专利权)人:许继集团有限公司西安许继电力电子技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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