过孔制作方法、显示面板制作方法及显示面板技术

本发明专利技术公开了一种显示面板过孔制作方法、显示面板制作方法及显示面板，以解决现有显示面板在不同膜层之间形成过孔时，不能满足坡度角与选择比自由设置的问题。本发明专利技术中形成过孔时，根据所需坡度角的大小，采用第一刻蚀条件对电路图案上方需要生成过孔的区域中位于顶层的膜层进行刻蚀；根据所需选择比，采用第二刻蚀条件对需要生成过孔区域中的剩余部分进行刻蚀，形成最终的过孔，避免一步法刻蚀中坡度角与选择比不能自由设置的问题。

【技术实现步骤摘要】
过孔制作方法、显示面板制作方法及显示面板
本专利技术涉及液晶显示技术，尤其涉及一种过孔制作方法、显示面板制作方法及显示面板。
技术介绍
显示面板制作工艺中，过孔工艺是一项很重要的工艺，通过过孔，能够实现位于不同层级电路图案的电连接。例如一种典型的阵列基板结构是：栅极线上覆盖有栅极绝缘层；有源层、数据线、源电极和漏电极等金属层形成在栅极绝缘层上，且覆盖一钝化层；漏电极上方的钝化层中形成漏电极过孔，以便像素电极通过漏电极过孔与漏电极电连接；在栅极线和数据线上方分别形成栅接口过孔和数据接口过孔，以便将栅极线和数据线露出来连接驱动线路。漏电极过孔和数据接口过孔是刻蚀钝化层而形成的，栅接口过孔是刻蚀钝化层和栅极绝缘层而形成的，现有技术中漏电极过孔、数据接口过孔以及栅接口过孔一般采用一次刻蚀形成。然而不同膜层之间的刻蚀速率往往不一样，不同膜层刻蚀速率的比值定义为选择比，当刻蚀形成漏电极过孔和数据接口过孔后，进行栅极绝缘层刻蚀形成栅接口过孔时，对形成漏电极和数据线的金属层也会进行刻蚀，此时我们定义选择比为栅极绝缘层的刻蚀速率/金属层的刻蚀速率，则选择比越大越好，这样在刻蚀掉钝化层后继续进行栅极绝缘层刻蚀时，对金属层的损伤较小。进一步的，窄边框趋势已经成为目前液晶显示面板的一个重要发展方向，而相对较窄的面板设计首先就要考虑原有设备的精密程度，如果设备不能满足，就要考虑工艺上是否能实现，而过孔的减小正是窄边框产品开发中最直接的优化工艺，因为一定线宽的条件下，过孔越小，布线就越精密，较小的过孔则需要较大的坡度角，但是较大的坡度角，就需要栅极绝缘层与金属层之间的选择比较小，然而一次刻蚀法因为刻蚀条件固定，不能根据所需坡度角与所需选择比灵活设置刻蚀条件，进而很难同时满足上述两种条件。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种过孔制作方法、显示面板制作方法及显示面板，以解决现有显示面板在不同膜层之间形成过孔时，不能满足坡度角与选择比自由设置的问题。本专利技术的目的是通过以下技术方案实现的：本专利技术一方面提供了一种显示面板过孔制作方法，包括下述步骤：根据所需坡度角的大小，采用第一刻蚀条件对电路图案上方需要生成过孔的区域中位于顶层的膜层进行刻蚀，使采用第一刻蚀条件进行刻蚀的部分形成有预设坡度角；根据所需选择比，采用第二刻蚀条件对需要生成过孔区域中的剩余部分进行刻蚀，形成最终的过孔；其中，采用第二刻蚀条件进行刻蚀的部分与采用第一刻蚀条件进行刻蚀的部分形成的坡度角不同。本专利技术另一方面还提供了一种显示面板制作方法，包括下述步骤：形成包括栅极线电路图案和栅极电路图案的金属层；形成栅极绝缘层；形成有源层；形成包括数据线电路图案、源电极电路图案和漏电极电路图案的金属层；在形成有上述各层的基板上形成钝化层；其中，栅极绝缘层形成于包括栅极线电路图案和栅极电路图案的金属层与有源层以及包括数据线电路图案、源电极电路图案和漏电极电路图案的金属层之间，所述显示面板制作方法还包括下述步骤：根据形成漏电极过孔、栅接口过孔和数据接口过孔在所述钝化层上所需坡度角的大小，采用第一刻蚀条件对所述钝化层对应待形成漏电极过孔、栅接口过孔和数据接口过孔对应的区域进行刻蚀；根据所述栅极绝缘层和所述包括数据线电路图案、源电极电路图案和漏电极电路图案的金属层对应的刻蚀速率选择比或根据所述栅极绝缘层和包括栅极线电路图案和栅极电路图案的金属层对应的刻蚀速率选择比，采用第二刻蚀条件对采用第一刻蚀条件刻蚀后剩余部分进行刻蚀，从而形成漏电极过孔、栅接口过孔和数据接口过孔；以及沉积刻蚀电极层，实现相应电路图案之间的电连接。本专利技术再一方面还提供了一种显示面板，该显示面板包括：电路图案层、位于所述电路图案层上方的膜层，以及在所述电路图案层上方的膜层中生成的用于导通电路图案的过孔，所述过孔采用上述方法生成。较佳的，该显示面板包括：形成在基板上的电路图案和绝缘层，所述电路图案至少包括形成在不同层级的第一电路图案和第二电路图案，所述绝缘层至少包括依次形成于所述基板之上的第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一电路图案形成在所述第一绝缘层之下，所述第二电路图案形成在所述第一绝缘层之上、第二绝缘层之下，还包括分别根据所需坡度角而采用第一刻蚀条件和根据所需选择比采用第二刻蚀条件分步制作的第一过孔和第二过孔；所述第一过孔位于所述第一电路图案上方，贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层；所述第二过孔位于所述第二电路图案上方，贯穿所述第二绝缘层，所述第一过孔位于所述第二绝缘层部分与所述第二过孔在第二绝缘层上采用第一刻蚀条件刻蚀后孔深相同位置处的坡度角相同，且所述第一过孔与所述第二过孔采用第二刻蚀条件刻蚀的剩余部分与采用第一刻蚀条件刻蚀部分坡度角不同。本专利技术提供的过孔制作方法、显示面板制作方法及显示面板，形成的过孔通过两步进行刻蚀，并分别根据坡度角与选择比的大小进行刻蚀条件的选择，最终形成所需的过孔，能够避免一步法刻蚀中坡度角与选择比不能自由设置的问题，并可进行刻蚀条件的灵活选择，工艺制作简单，并能提高产品质量。附图说明图1为本专利技术提供的过孔制作方法流程图；图2为本专利技术提供的显示面板制作方法流程图；图3A-图3F为本专利技术显示面板制作过程示意图；图4A-图4B为本专利技术提供的显示面板结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，并不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例一本专利技术实施例一提供了一种显示面板过孔制作方法，如图1所示，包括下述步骤：S101：根据所需坡度角的大小，采用第一刻蚀条件对电路图案上方需要生成过孔的区域中位于顶层的膜层进行刻蚀，使采用第一刻蚀条件进行刻蚀的部分形成有预设坡度角。S102：根据所需选择比，采用第二刻蚀条件对需要生成过孔的区域中的经S101刻蚀后剩余部分进行刻蚀，形成最终的过孔，其中，选择比为不同膜层刻蚀速率的比值，采用第二刻蚀条件进行刻蚀的部分与采用第一刻蚀条件进行刻蚀的部分形成的坡度角不同。具体的，本专利技术实施例中在S101中根据坡度角的大小进行刻蚀条件的选择，可以形成所需的坡度角，使采用第一刻蚀条件进行刻蚀的部分形成有预设坡度角，例如若想刻蚀形成较小的过孔，则可以选择坡度角较大的第一刻蚀条件进行刻蚀，而在S102中为避免因选择了形成坡度角较大的第一刻蚀条件造成余下膜层刻蚀速率不一样，导致选择比过低的情况发生，则可以在第二步中更换刻蚀条件，采用根据所需的选择比，进行选择的第二刻蚀条件对剩余部分进行刻蚀，则可以根据实际刻蚀的膜层的刻蚀速率进行刻蚀条件的选择，选择需要刻蚀部分刻蚀速率高，而不需要刻蚀部分刻蚀速率低的刻蚀条件进行刻蚀，形成最终所需过孔，不仅可以将不需要刻蚀部分的刻蚀深度控制在可接受的范围内，并且还能提高需要刻蚀部分的刻蚀速率，提高产品良率，由于第一刻蚀条件与第二刻蚀条件不同，使得形成的过孔中采用第二刻蚀条件刻蚀部分与采用第一刻蚀条件刻蚀部分坡度角不同。RIE（活性等离子体刻蚀）刻蚀方式，为兼具物理性刻蚀和化学性刻蚀的刻蚀方式，其中，物理性偏重垂直刻蚀，形成的坡度角较大，但是选择比一般相对较低，化学性偏重横向刻蚀，选择比本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种过孔制作方法，其特征在于，包括下述步骤：根据所需坡度角的大小，采用第一刻蚀条件对电路图案上方需要生成过孔的区域中位于顶层的膜层进行刻蚀，使采用第一刻蚀条件进行刻蚀的部分形成有预设坡度角；根据所需选择比，采用第二刻蚀条件对需要生成过孔区域中的剩余部分进行刻蚀，形成最终的过孔；其中，采用第二刻蚀条件进行刻蚀的部分与采用第一刻蚀条件进行刻蚀的部分形成的坡度角不同。

【技术特征摘要】
1.一种过孔制作方法，其特征在于，包括下述步骤：根据所需坡度角的大小采用第一刻蚀条件进行刻蚀时，采用以物理性刻蚀为主的活性等离子体刻蚀方法，对电路图案上方需要生成过孔的区域中的钝化层进行部分刻蚀，使采用第一刻蚀条件进行刻蚀的部分形成有预设坡度角；根据所需选择比采用第二刻蚀条件进行刻蚀时，采用以化学性刻蚀为主的活性等离子体刻蚀方法，对采用第一次刻蚀条件刻蚀后剩余的钝化层以及栅极绝缘层进行刻蚀，形成最终的过孔；其中，采用第二刻蚀条件进行刻蚀的部分与采用第一刻蚀条件进行刻蚀的部分形成的坡度角不同；所述选择比为栅极绝缘层的刻蚀速率/金属层的刻蚀速率；所述金属层包括数据线电路图案、源电极电路图案或漏电极电路图案。2.一种显示面板制作方法，包括下述步骤：形成包括栅极线电路图案和栅极电路图案的金属层；形成栅极绝缘层；形成有源层；形成包括数据线电路图案、源电极电路图案和漏电极电路图案的金属层；在形成有上述各层的基板上形成钝化层；其中，栅极绝缘层形成于包括栅极线电路图案和栅极电路图案的金属层与有源层以及包括数据线电路图案、源电极电路图案和漏电极电路图案的金属层之间，其特征在于，所述显示面板制作方法还包括下述步骤：根据形成漏电极过孔、栅接口过孔和数据接口过孔在所述钝化层上所需坡度角的大小，根据预设坡度角采用第一刻蚀条件进行刻蚀时，采用以物理性刻蚀为主的活性等离子体刻蚀方法，对所述钝化层对应待形成漏电极过孔、栅接口过孔和数据接口过孔对应的区域进行部分刻蚀；根据所述栅极绝缘层和所述包括数据线电路图案、源电极电路图案和漏电极电路图案的金属层对应的刻蚀速率选择比或根据所述栅极绝缘层和包括栅极线电路图案和栅极电路图案的金属层对应的刻蚀速率...

【专利技术属性】
技术研发人员：李田生，谢振宇，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：