电容屏OGS消影结构及其制造工艺制造技术

本发明专利技术揭示了一种电容屏OGS消影结构，电容屏的触摸屏图层上表面与保护玻璃之间，以及其下表面与树脂保护层之间均设有一层光学增透膜。本发明专利技术OGS结构触摸屏采用ITO膜层下镀IIM和ITO上层，OC光阻保护层下镀IIM效果，既能达到消除ITO图案效果，又能高透过率。

【技术实现步骤摘要】
电容屏OGS消影结构及其制造工艺
本专利技术涉及电容触控屏结构及其生产工艺。
技术介绍
触摸屏作为一种新兴的人机交互设备，人们使用触摸屏代替鼠标和键盘，已成为目前最简单、最方便的输入设备。触摸屏生产时，设计人员可以通过软件设计出适合各种不同的用户界面，使用者不需要专门的操作知识，只需要根据功能图标轻触显示屏幕上的响应位置，就能实现需要的操作。在社会进步快速发展下，人们对触摸屏追求越来越高。为了满足智能终端超薄化和提升显示效果需求，目前研发出OGS(Oneglasssolution)结构，即在保护玻璃(盖板)上直接形成ITO导电膜及传感器的技术，使一块玻璃同时起到保护玻璃和触摸传感器的双重作用。OGS触摸屏结构能达到节省了一层玻璃成本和减少了一次贴合成本，减轻了重量及厚度，增加了透光度。将是高端品牌终端的必然选择。但OGS结构触摸屏外观ITO(铟锡氧化物半导体透明导电膜)在膜电阻低，高膜厚的情况下。图案非常明显，严重影响外观要求标准，特别体现在ITO膜电阻低的大尺寸触摸屏上。结构如图1：之前以往技术是ITO-sensor(单片)通过OCA光学胶(透过率100％具有光学透明的一层特种双面胶)粘贴在盖板保护玻璃上，正常测量投射光波长550纳米下：其透过率为：81-86％、反射率14-19％。目前常用的OGS结构如图2所示，采用将ITO图案直接制作在盖板上，即在保护玻璃直接采用真空磁控溅射方法镀制ITO膜而曝光、蚀刻方法制作ITO图层，从而达到同样效果，但这样的触摸屏透过率比传统触摸屏结构工艺(结构如图1)上有所提高，但只适应用在ITO膜电阻高(75-350欧姆，低膜厚)的产品上，对ITO膜电阻低(0-75欧姆.高膜厚)产品上，ITO图形明显，影响外观标准。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是实现一种消除ITO图案的电容屏OGS结构。为了实现上述目的，本专利技术采用的技术方案为：电容屏OGS消影结构，电容屏的触摸屏图层上表面与保护玻璃之间，以及其下表面与树脂保护层之间均设有一层光学增透膜。所述的光学增透膜为双层结构，由一层二氧化钛和一层二氧化硅叠加而成。所述的二氧化钛膜厚所述的二氧化硅膜厚所述的触摸屏图层由保护玻璃向树脂保护层方向依次设有ITO图层、绝缘架桥层和金属跨桥导体层，所述的触摸屏图层边缘设置金属引线，并在间隙处填充黑光边框。所述的保护玻璃厚度为0.7-2.0mm。电容屏OGS制造工艺：步骤1、在保护玻璃一面采用真空磁控溅射方法镀制光学增透膜图层；步骤2、在光学增透膜表面制作触摸屏图层；步骤3、在触摸屏图层表面再次采用真空磁控溅射方法镀制一层光学增透膜图层；步骤4、在步骤3中制作的光学增透膜外制作一层树脂保护层进行保护。进一步的，所述的步骤2触摸屏图层制作按照以下步骤进行：在步骤1制作的光学增透膜上层制作黑光边框；之后采用真空磁控溅射方法镀制ITO图层；之后在ITO图层上制作一层绝缘架桥层；之后采用真空磁控溅射方法在制作好的绝缘架桥层上镀一层金属跨桥导体层和金属引线。进一步的，制作金属跨桥导体层和金属引线时需生成一套金属对位靶标。进一步的，镀制所述的光学增透膜时，先镀二氧化钛层，再镀二氧化硅层，叠加构成光学增透膜。本专利技术OGS结构触摸屏采用ITO膜层下镀IIM和ITO上层，OC光阻保护层下镀IIM效果，既能高透过率，又能达到消除ITO图案效果。附图说明下面对本专利技术说明书中每幅附图表达的内容及图中的标记作简要说明：图1、为传统ITO导电单片贴合盖板截面层结构图；图2为传统OGS结构触摸屏截面层结构图；图3为本专利技术OGS结构触摸屏截面层结构图；上述图中的标记均为：1、保护玻璃；2、光学增透膜；3、黑光边框；4、ITO图层；5、绝缘架桥层；6、金属跨桥导体层；7、金属引线；8、树脂保护层；9、贴合盖板；10、贴合光学胶；11、二氧化硅保护层；12、防静电ITO。具体实施方式下面对照附图，通过对实施例的描述，本专利技术的具体实施方式如所涉及的各构件的形状、构造、各部分之间的相互位置及连接关系、各部分的作用及工作原理、制造工艺及操作使用方法等，作进一步详细的说明，以帮助本领域技术人员对本专利技术的专利技术构思、技术方案有更完整、准确和深入的理解。参见图3可知，本专利技术电容屏OGS(Oneglasssolution)结构消影(消除ITO图案)技术就是在图2的现有技术基础上增加一层光学增透膜2(IIM)，即电容屏的触摸屏图层上表面与保护玻璃1(glass)之间，以及其下表面与树脂保护层8(OC保护)之间均设有一层光学增透膜2。光学增透膜2是通过高、低折射率介质膜材料及不同λ/4倍数的膜厚叠加产生一定的光学干涉特性，实现透过率的提高，本专利技术采用2层增透膜2，正常测量投射光波长550纳米下：其透过率：91-95％反射率为：5-9％。光学增透膜2成分为磁控溅射二氧化钛(TiO2)和二氧化硅(SiO2)叠加，二氧化钛膜厚优选二氧化硅膜厚优选这样OGS双层光学增透膜(2)结构提高透过率，使触摸屏既能透过率大于91％，又能达到消影效果。触摸屏图层为常规结构，由保护玻璃1向树脂保护层8方向依次设有ITO图层4、绝缘架桥层5(PI)和金属跨桥导体层6(Metal-jumper)，该触摸屏图层边缘设置金属引线7(Metal-trace)，并在边缘间隙处填充黑光边框3(BM)，用于抵挡金属引线7可视。电容屏OGS制造工艺按照以下步骤进行：步骤1、在保护玻璃1采用浮法面强化后正常的触控基板玻璃，厚度为0.7-2.0mm，强化后应力层为10-12um应力值：550-650mpa，在这样的保护玻璃1一面采用真空磁控溅射方法镀制光学增透膜2图层，镀制光学增透膜2时，需先镀二氧化钛层，再镀二氧化硅层，叠加构成光学增透膜2；步骤2、在步骤1的光学增透膜2表面制作触摸屏图层；具体的说：首先在光学增透膜2上层制作黑光边框3，即感光剂黑膜层，黑光边框3主要代替贴合盖板玻璃及贴合盖板玻璃上的黑框油墨。这里制作黑光边框3，采用触摸屏黄光光刻技术，对黑光边框3依次进行：清洗、涂布、软烤、曝光、显影、硬烤的工艺处理，从而制作成黑光边框3；之后采用真空磁控溅射方法镀制ITO图层4。ITO图层4采用触摸屏黄光光刻技术制作在光学增透膜2上层，黑光边框3内，ITO图层4制作时依次进行：清洗、涂布、软烤、曝光、显影、硬烤、蚀刻、剥膜工艺处理，从而制作成ITO图层4；之后在ITO图层4上制作一层绝缘架桥层5，这里绝缘架桥层5也是采用触摸屏黄光光刻技术，即依次进行：清洗，涂布、软烤、曝光、显影、硬烤的工艺处理，制作成绝缘架桥层图层5；之后采用真空磁控溅射方法在制作好的绝缘架桥层图层5上镀上一层金属导电材料(mo/al/mo)，制作成金属跨桥导体层6和边缘的金属引线7。金属跨桥导体层6和边缘的金属引线7的制作是采用触摸屏黄光光刻技术，即对依次进行：清洗、涂布、软烤、曝光、显影、硬烤、蚀刻、剥膜工艺处理，从而制作成金属跨桥导体层6和边缘的金属引线7。需要注意的是，在制作成金属跨桥导体层6和边缘的金属引线7时，一定要生成一套金属靶标，因为金属靶标较亮，在进行下一步表面覆盖光学增透膜2工艺时，可避免制作树脂保护层8偏移对位异常的现象；至此，触摸屏图层制作完成；步骤本文档来自技高网...

【技术保护点】
电容屏OGS消影结构，其特征在于：电容屏的触摸屏图层上表面与保护玻璃（1）之间，以及其下表面与树脂保护层（8）之间均设有一层光学增透膜（2）。

【技术特征摘要】
1.电容屏OGS消影结构，其特征在于：电容屏的触摸屏图层上表面与保护玻璃(1)之间，以及其下表面与树脂保护层(8)之间均设有一层光学增透膜(2)；所述的光学增透膜(2)为双层结构，由先镀一层二氧化钛和再镀一层二氧化硅叠加而成；所述的二氧化钛膜厚所述的二氧化硅膜厚2.根据权利要求1所述的电容屏OGS消影结构，其特征在于：所述的触摸屏图层由保护玻璃(1)向树脂保护层(8)方向依次设有ITO图层(4)、绝缘架桥层(5)和金属跨桥导体层(6)，所述的触摸屏图层边缘设置金属引线(7)，并在间隙处填充黑光边框(3)。3.根据权利要求1或2所述的电容屏OGS消影结构，其特征在于：所述的保护玻璃(1)厚度为0.7-2.0mm。4.生产权利要求1-3中任一项所述的电容屏OGS消影结构的制造工艺，其特征在于：步骤1、在保护玻璃(1)一面采用真空磁控溅射方法镀制光学增透膜(2)图层；步骤2、在光学增透膜(2)表面制作触摸屏图...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈励，许沭华，迟晓辉，胡里程，夏大映，
申请(专利权)人：芜湖长信科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：