二阶非线性激光材料N,N’-丙酰-(2-噻吩甲酰)肼晶体及其生长方法和应用技术

本发明专利技术提供一种二阶非线性激光材料N,N’-丙酰-(2-噻吩甲酰)肼晶体及其生长方法和应用，所述该晶体属于正交晶系，空间群为P212121，Mr=1988.24，晶体学参数:Z=4,N,N’-丙酰-(2-噻吩甲酰)肼分子由互为垂直的N-(2-噻吩甲酰)肼基平和丙酰基平面构成；其生长方法如下：在N-(2-噻吩甲酰)肼上引入丙酰基，然后将生成的N,N’-丙酰-(2-噻吩甲酰)肼的同素异构体溶于仿醇混合溶剂中，并于室温下蒸发至饱和，取出饱和N,N’-丙酰-(2-噻吩甲酰)肼的同素异构体溶液置于比色皿中，并施加36V的直流电压，蒸发，生长出籽晶，然后转移到培养槽，同样仿醇混合溶剂蒸发得到柱状晶体N,N’-丙酰-(2-噻吩甲酰)肼。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种二阶非线性激光材料N,N’?丙酰?(2?噻吩甲酰)肼晶体，其特征在于：所述N,N’?丙酰?(2?噻吩甲酰)肼晶体属于正交晶系，空间群为P212121，分子式C8H10N2O2S，Mr=1988.24，晶体学参数:Z=4,N,N’?丙酰?(2?噻吩甲酰)肼分子由互为垂直的N?(2?噻吩甲酰)肼基平和丙酰基平面构成。FDA00003464712100011.jpg,FDA00003464712100012.jpg

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴文士，刘国祥，李传辉，
申请(专利权)人：华侨大学，
类型：发明
国别省市：