【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种用于生产高纯硅的方法，包括如下步骤：a.形成一个或多个沉积板，每个沉积板带有具有大表面积的一个或多个沉积表面，所述沉积板能够被迅速、均匀且同时加热，并且不会污染高纯硅，b.使所述沉积板具有几何形状，以使得平均沉积表面积与沉积反应器内部容积的比增加，c.将所述沉积板置于沉积反应器中，d.使沉积气体混合物流入所述沉积反应器中，以将硅沉积到所述沉积表面，其中所述沉积气体混合物流过所述沉积板之间的空间，并且沉积表面被加热到优化所述沉积气体混合物的沉积反应的温度，e.在所需量的硅沉积之后，将所述沉积板进一步加热到硅的熔点之上，以便在所述沉积板和其余的固态沉积硅的壳之间仅形成一薄层液态硅，f.通过施加诸如重力的力使得固态沉积硅的壳从所述沉积板滑落。
【技术特征摘要】
...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。