一种具有干扰防护的移动硬盘制造技术

技术编号:9249374 阅读:136 留言:0更新日期:2013-10-10 18:28
本实用新型专利技术公开了一种具有干扰防护的移动硬盘,它包括移动硬盘的接口,所述的接口上连接有干扰防护电路,所述的干扰防护电路包括场效应管MOS1、场效应管MOS2、场效应管MOS3、可控硅整流器SCR、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、比较器和三极管。其优点是:电路结构简单,便于小型化集成,符合移动硬盘小型化发展方向。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种具有干扰防护的移动硬盘,它包括移动硬盘的接口,其特征在于:所述的接口上连接有干扰防护电路,所述的干扰防护电路包括场效应管MOS1、场效应管MOS2、场效应管MOS3、可控硅整流器SCR、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、比较器和三极管,所述的场效应管MOS3的漏极同时与场效应管MOS2的漏极、电阻R1的一端、电阻R3的一端、电阻R4的一端相连,所述的场效应管MOS3的栅极与其的源极相连且同时连接在VDD上,所述的电阻R1的另一端串接在电阻R2上,且电阻R2的另一端接地,所述的电阻R3的另一端同时与三极管的基极和集电极相连,所述的三极管的发射极接地,所述的电阻R4的另一端连接在场效应管MOS1的源极上,所述的场效应管MOS1的漏极接地,栅极连接在比较器的输出端上,所述的比较器的一个输入端与三极管集电极相连,另一端连接在电阻R1和电阻R2之间,所述的可控硅整流器SCR的一端连接在场效应管MOS3的源极上,另一端同时连接在场效应管MOS2的栅极和源极上且接地。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:黄友华
申请(专利权)人:成都市宏山科技有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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