半导体层叠体、半导体装置,以及它们的制造方法制造方法及图纸

技术编号:9241427 阅读:150 留言:0更新日期:2013-10-10 05:25
提供半导体装置的制造方法。另外,能使用该方法获得的半导体装置,以及能够用于该方法的分散体。制造半导体装置(500a)的本发明专利技术的方法包含下述工序(a)~(c),且第1掺杂剂注入层(52)的晶体取向与由半导体元素形成的半导体层或基材(10)的晶体取向相同:(a)对层或基材的特定部位适用含有经过掺杂的粒子的分散体,和(b)将适用的分散体干燥,形成未烧结掺杂剂注入层,以及(c)通过对未烧结掺杂剂注入层进行光照射,对层或基材的特定部位通过p型或n型掺杂剂进行掺杂,同时使未烧结掺杂剂注入层烧结,形成与层或基材一体化的掺杂剂注入层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:富泽由香池田吉纪今村哲也
申请(专利权)人:帝人株式会社
类型:
国别省市:

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