【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种声表面波器件芯片封装热应变的消减方法，其特征在于：在声表面波器件芯片的压电单晶基片边缘区域与声表面波器件同步制作一组环形结构，所述环形结构采用具有一定热?机械特性的材料制成，与压电单晶基片、封装基座构成一个热?机械特性互补的复合结构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赵成，徐威，严德洋，孙正亮，陈磊，
申请(专利权)人：扬州大学，
类型：发明
国别省市：
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