【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种三结太阳电池，其特征在于：包括依次生长在P型GaAs衬底上的GaNAsBi底电池、第一隧道结、GaNAsBi中间电池、第二隧道结、AlGaInP顶电池以及N型GaAs欧姆接触层，其中，所述GaAs衬底上设有P电极，所述GaAs欧姆接触层上设有N电极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：曾徐路，董建荣，李奎龙，孙玉润，于淑珍，赵勇明，赵春雨，杨辉，
申请(专利权)人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：发明
国别省市：
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