【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种基于涡流技术的TSV晶圆背面减薄控制方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：S1、将涡流感应器固定于晶圆减薄装置的传动轴上，使涡流感应器垂直于晶圆表面并能随传动轴上下移动；S2、对涡流感应器施加交流电，使用减薄装置对特定的TSV晶圆进行减薄，制定涡流感应器中的感应信号与距离的校准曲线，所述距离为涡流感应器与TSV晶圆中导电柱底部的距离；S3、根据TSV晶圆减薄的目标距离和校准曲线设定终点的感应信号值；S4、对涡流感应器施加交流电，使用减薄装置对TSV晶圆进行减薄，当涡流感应器上的感应信号达到设定的感应信号值时停止TSV晶圆的背面减薄。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：顾海洋，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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