【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种开关管，其特征在于，包括：第一电极、形成于所述第一电极之上的第一绝缘层、形成于所述第一绝缘层之上的牺牲层、形成于所述牺牲层之上的第二/第三电极金属层以及半导体层；所述牺牲层和第二/第三电极金属层在同一位置设有蚀刻开口，以使得所述第一绝缘层和半导体层接触；其中，对所述牺牲层和第二/第三电极金属层进行蚀刻以形成所述蚀刻开口，并在同等蚀刻条件下所述牺牲层与第一绝缘层的蚀刻选择比大于第一设定值，且所述第一设定值大于1。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：江政隆，陈柏林，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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