用于保护继电器触点的保护电路制造技术

一种用于保护继电器（K1）触点的保护电路，包括一与所述继电器并联的双向可控硅（TR1）、与所述继电器线圈电性连接的继电器驱动电路（200）、与所述双向可控硅电性连接的可控硅驱动电路（300）以及CPU（100）；所述CPU包括至少两个用于输入及输出信号的接口（I/O1、I/O2），其中一个所述接口（I/O1）经所述继电器驱动电路与所述继电器电性连接，另一个所述接口（I/O2）经所述可控硅驱动电路与所述双向可控硅电性连接；所述继电器的两个触点分别与所述双向可控硅的第一主端子（T1）和第二主端子（T2）电性连接。本实用新型专利技术提供的保护电路，达到了避免继电器闭合或断开时产生的较大电流将该继电器的触点烧坏的目的。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种用于保护继电器（K1）触点的保护电路，其特征在于，包括一与所述继电器（K1）并联的双向可控硅（TR1）、与所述继电器（K1）线圈电性连接的继电器驱动电路（200）、与所述双向可控硅（TR1）电性连接的可控硅驱动电路（300）以及CPU（100）；所述CPU（100）包括至少两个用于输入及输出信号的接口（I/O1、I/O2），其中一个所述接口（I/O1）经所述继电器驱动电路（200）与所述继电器（K1）电性连接，另一个所述接口（I/O2）经所述可控硅驱动电路（300）与所述双向可控硅（TR1）电性连接；所述继电器（K1）的两个触点分别与所述双向可控硅（TR1）的第一主端子（T1）和第二主端子（T2）电性连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：肖明超，李家才，何树万，姚爱国，朱刚，严凤英，
申请(专利权)人：深圳市慧锐通智能电器股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：