【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
利用MCU之EEPROM进行双频率逆变器过载点设定电路，其特征在于包括H桥电路、电压放大电路、电压检测电路、记忆电路、控制电路和功率管驱动电路，所述的H桥电路包括第一功率MOSFET管、第二功率MOSFET管、第三功率MOSFET管与第四功率MOSFET管，所述的第一功率MOSFET管的漏极与第三功率MOSFET管的漏极都与逆变器变换后的直流高压输出端相连，第二功率MOSFET管的源级与第四功率MOSFET管的源级相连后通过采样电阻接地，第一功率MOSFET管的源级与第二功率MOSFET管的漏极相连，第一功率MOSFET管与第二功率MOSFET管之间的连接节点连接到AC输出火线端，第三功率MOSFET管的源级与第四功率MOSFET管的漏极相连，第三功率MOSFET管与第四功率MOSFET管之间的连接节点连接到AC输出零线端；所述的第二功率MOSFET管的源级与电压放大电路的输入端连接，电压放大电路的输出端与电压检测电路连接，所述的电压检测电路与控制电路连接，所述的控制电路通过记忆电路与电压检测电路连接，控制电路通过功率管驱动电路驱动H桥电路，所述的控制电路外接跳线帽后接地，所述的控制电...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘晓，
申请(专利权)人：宁波高新区日新科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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