【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种改善电容器件击穿电压的方法，应用于电容器件的制备工艺中，其特征在于，包括以下步骤：提供一从下至上顺寻依次具有第一金属层、介质层和第二金属层的半导体结构，且该半导体结构的表面覆盖有硬质薄膜；部分刻蚀所述硬质薄膜至所述第一金属层的表面，且于暴露的所述第一金属层的表面上残留有反应金属聚合物；去除所述反应金属聚合物后，继续以剩余的硬质薄膜为掩膜，刻蚀所述第一金属层至所述介质层中；清洗工艺后，形成电容结构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：昂开渠，曾林华，任昱，吕煜坤，张旭昇，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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