一种Si纳米线阵列的制备方法技术

本发明专利技术公开的Si纳米线阵列的制备方法，采用的是金属辅助化学刻蚀法，以氢氟酸和硝酸银混合配制成反应液I，氢氟酸与双氧水混合配制成反应液II，重掺（100）型硅片通过在反应液I和反应液II两步反应，在重掺（100）硅片上刻蚀得到Si纳米线阵列。本发明专利技术制备方法方便易行，Si纳米线长度、载流子浓度可控性优异，稳定性良好，可获得波长可调的中红外表面等离激元共振。适于大批量生产。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种Si纳米线阵列的制备方法，包括以下步骤：1）将重掺（1?0?0）型硅片用RCA方法清洗后，放入质量浓度97％的硫酸和质量浓度30%的双氧水按体积比为3：1的混合液中，浸泡至少10?min，用去离子水冲洗，再放入体积浓度10%的氢氟酸缓冲液中浸泡至少3?min；2）将氢氟酸和硝酸银混合，配制成反应液I，氢氟酸的浓度为4.65?mol/L，硝酸银的浓度为0.02?mol/L；将氢氟酸与双氧水混合，配制成反应液II，氢氟酸的浓度为4.65?mol/L，双氧水浓度为0.5?mol/L；3）将经步骤1）处理的硅片抛光面朝上水平放入反应液I中，浸泡1?min取出，用去离子水冲洗后放入反应液II中，反应30～90?min后，在硅片上形成Si纳米线阵列，将其从反应液Ⅱ中取出，放入质量浓度为30%的硝酸溶液中，浸泡至少1?h，去除Si纳米线阵列表面的金属银颗粒，用去离子水反复冲洗，干燥。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：何海平，甘露，孙陆威，叶志镇，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：