一种双稀土掺杂TiO2纳米管有序阵列的制备方法技术

本发明专利技术公开一种双稀土掺杂TiO2纳米管有序阵列的制备方法，该方法包括：（1）使用磁控溅射方法在Al2O3陶瓷片上溅射一层纯钛膜；（2）将溅射有钛膜的Al2O3陶瓷片进行阳极氧化，获得高度有序的TiO2纳米管阵列；（3）将TiO2纳米管阵列的陶瓷片浸泡在双稀土溶液中，利用水热法进行离子掺杂。该方法克服必须使用钛片或者钛箔制备高度有序纳米管的缺陷，并且能够将双稀土离子成功负载在二氧化钛纳米管的内部或表面，大幅度提高TiO2的光催化性能。本发明专利技术操作简便，反应条件温和，产物性质稳定，并且磁控溅射方法价格便宜、成膜均匀，可用于大面积制备薄膜，适用于工业化生产。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种双稀土掺杂TiO2纳米管有序阵列的制备方法，其特征在于包括如下步骤：（1）Al2O3陶瓷片清洗：依次用丙酮、酒精、去离子水超声清洗；（2）对（1）中陶瓷片溅射钛膜：采用直流溅射钛靶，溅射气体为纯氩气；（3）配制阳极氧化溶液；（4）步骤（2）中所得Al2O3陶瓷片在步骤（3）配制的溶液中进行阳极氧化，制备出高度有序的TiO2纳米管阵列；（5）配置双稀土掺杂溶液：所配的溶液为水溶液，其中稀土镧离子占质量分数的0.5?4.0%，稀土钆离子占体积分数的0.03?0.2%；（6）将（4）中所得TiO2纳米管阵列浸泡在步骤（5）配置的溶液里，放入烘箱内进行水热反应，取出后自然晾干，煅烧。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：柴瑜超，林琳，张小秋，张柯，余震，何丹农，
申请(专利权)人：上海交通大学，上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司，
类型：发明
国别省市：