氮化硅薄膜的制备方法技术

一种氮化硅薄膜的制备方法，包括：通入Ar将SiH4气体稀释；将玻璃基底依次通过体积比为H2O：H2O2：NH3·H2O=1∶1∶5和H2O∶H2O2∶HCl=1∶1∶5的溶液中超声清洗，并用5%的稀氢氟酸漂洗，随后用去离子水洗净、烘干，置入反应室；以所述SiH4气体和纯度大于99.99%的氨气为反应气体，在所述反应室进行等离子体化学气相沉积，以获取具有氮化硅薄膜的玻璃基底。本发明专利技术所述氮化硅薄膜的制备方法可在玻璃基底上均匀的生长出优异的氮化硅薄膜，所述氮化硅薄膜呈非晶态，氢含量低，沉积速率快。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种氮化硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述氮化硅薄膜的制备方法包括：步骤S1：通入Ar将SiH4气体稀释；步骤S2：将玻璃基底依次通过体积比为H2O：H2O2：NH3·H2O=1:1:5和H2O：H2O2：HCl=1:1:5的溶液中超声清洗，并用5%的稀氢氟酸漂洗，随后用去离子水洗净、烘干，置入反应室；步骤S3：以所述SiH4气体和纯度大于99.99%的氨气为反应气体，在所述反应室进行等离子体化学气相沉积，以获取具有氮化硅薄膜的玻璃基底。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林嘉佑，
申请(专利权)人：林嘉佑，
类型：发明
国别省市：