【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种低温硒化制备CIGS薄膜的方法，包括以下操作步骤：铜源、铟源、镓源与硒源混合后加入烷基胺中反应，得到CIGS纳米晶；将CIGS纳米晶与溶剂混合分散，得到CIGS纳米晶墨水，并将其在基板上涂膜，干燥后得到涂膜基板；将所述涂膜基板与有机硒的醇溶液分开置于密闭环境中，加热至100～400℃，使产生的有机硒的醇溶液的蒸汽与涂膜基板充分接触进行硒化反应，硒化反应时间为1～24h，得到CIGS薄膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：徐东，徐永清，陈雄，
申请(专利权)人：深圳市亚太兴实业有限公司，
类型：发明
国别省市：
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