低压旁路取电的交流直接驱动LED的集成电路制造技术

现有的交流直接驱动LED集成电路存在功耗大、可靠性差、成本高的缺点，本实用新型专利技术提供一种适合低压旁路取电的交流直接驱动LED的集成电路；该集成电路由稳压电路、低压电子开关电路、欠压控制电路、比较放大电路组成；该集成电路有三个管脚，即正电源端、零电位参考端、电流采样与低压电子开关公用端。本实用新型专利技术的低压旁路取电的交流直接驱动LED的集成电路的突出技术效果是，本产品具有功耗低、效率高、可靠性高、成本低、管脚少、外接元件少和使用方便等优点。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
低压旁路取电的交流直接驱动LED的集成电路，其特征在于，该集成电路是一种适合于低压旁路取电的交流直接驱动LED的集成电路，该集成电路由稳压电路（1）、低压电子开关电路（2）、欠压控制电路（3）、比较放大电路（4）组成，并设有三个管脚，分别为正电源端、电流采样与低压电子开关公用端、零电位参考端；其中，正电源端所取的电压为10～60伏的单向脉动电压；正电源端分别与稳压电路（1）、低压电子开关电路（2）和欠压控制电路（3）相连接；稳压电路（1）的一路输出与欠压控制电路（3）的输入端相连接；欠压控制电路（3）的输出端与低压电子开关电路（2）输入端相连接；稳压电路（1）的另一路输出与比较放大电路（4）的输入端相连接；比较放大电路（4）输出端与低压电子开关电路（2）输入端相连接；电流采样与低压电子开关公用端分别与低压电子开关电路（2）和比较放大电路（4）相连接；通过串联电流采样电阻Rs的方式将零电位参考端与电流采样与低压电子开关公用端相连接；稳压电路（1）为比较放大电路（4）提供稳压电源；低压电子开关电路（2）有两种工作状态、分别对应LED负载的接入与短接；欠压控制电路（3）有固定的阈值电压，当集成电路的低压旁路取电瞬态电压低于欠压控制电路（3）的阈值电压时，欠压控制电路（3）将低压电子开关电路（2）保持开路而将对应的LED负载单元接入；比较放大电路（4）电压比较放大电路有两个差分输出端，其同向输出端与欠压控制电路（3）的输入端相连，其反向输出端与低压电子开关电路（2）的输入控制端相连；比较放大电路（4）内设有基准参考电压，比较放大电路（4）将电流采样电阻上的电压大小与基准参考电压比较放大后输出控制电平对低压电子开关电路（2）进行开关控制，当电流采样电阻的电压大于基准参考电压时，低压电子开关电路（2）将LED负载单元接入，当电流采样电阻的电压小于基准参考电压时，低压电子开关电路（2）将LED负载单元短接；稳压电路（1）由三极管Q15、三极管Q16，三极管Q14、三极管Q17、三极管Q18、三极管Q19、三极管Q20、三极管Q21和电阻R4组成；其中三极管Q15的发射极与三极管Q16的发射极以及与三极管Q14的集电极均与集成电路的正电源端相连；三极管Q15的基极、三极管Q16的基极以及三极管Q16的集电极与电阻R4的一端相连，电阻R4的另一端与集成电路的零电位参考端相连；三极管Q15的集电极与三极管Q14的基极、三极管Q17的基极和三极管Q17集电极相连接；三极管Q17的发射极、三极管Q18的基极以及三极管Q18集电极相连接；三极管Q18的发射极分别与三极管Q19的基极和三极管Q19集电极相连；三极管Q19的发射极分别与三极管Q20的基极和三极管Q20集电极相连；三极管Q20的发射极分别与三极管Q21的基极和三极管Q21集电极相连接；三极管Q21的发射极与零电位参考端相连接；其中，三极管Q15与三极管Q16为PNP型三极管，三极管Q14、三极管Q17、三极管Q18、三极管Q19、三极管Q20和三极管Q21为NPN型三极管；低压电子开关电路（2）由三极管Q23、三极管Q25、三极管Q26和三极管Q27组成；其中三极管Q23的发射极与零电位参考端相连，三极管Q23的集电极分别与三极管Q25的集电极以及三极管Q26的基极相连；三极管Q25的发射极、三极管Q26的集电极和三极管Q27的集电极共同与正电源端相连；三极管Q26的发射极与三极管Q27的基极相连，三极管Q27的发射极与电流采样和低压电子开关公用端相连；其中，三极管Q25为PNP型的三极管，三极管Q23、三极管Q26和三极管Q27为NPN型的三极管；欠压控制电路（3）由三极管Q24和三极管Q22构成；其中三极管Q24的发射极与正电源相连，三极管Q24的基极、三极管Q24的集电极及三极管Q22的集电极相互连接，三极管Q22的发射极与零电位参考端相连；其中，三极管Q24为PNP型三极管，三极管Q22为NPN型三极管；比较放大电路（4）由三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4、三极管Q10、三极管Q11、三极管Q5、三极管Q6、三极管Q7、三极管Q8、三极管Q9、三极管Q12、三极管Q13、电阻R1、电阻R2、电阻R3和电阻R5构成；其中，三极管Q1的基极、三极管Q2的基极、三极管Q11的基极、三极管Q10的基极三极管Q10的集电极以及电阻R3的一端相连；电阻R3的另一端分别与三极管Q9的集电极、三极管Q9的基极相连；三极管Q1的集电极、三极管Q2的集电极、三极管Q3的发射极以及三极管Q4的发...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵天鹏，
申请(专利权)人：赵天鹏，
类型：实用新型
国别省市：