【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种硅Si基中/长波叠层双色碲镉汞材料，其特征在于，所述Si基中/长波叠层双色碲镉汞材料由下到上依次包括：晶向为211的Si衬底、在所述Si衬底的表面上依次生长的砷As钝化层、碲化锌ZnTe缓冲层、碲化镉CdTe缓冲层、以及三层不同组份不同厚度的碲镉汞薄膜层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王经纬，巩锋，王丛，刘铭，强宇，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十一研究所，
类型：实用新型
国别省市：
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