用于半导体制造的喷射件及具有该喷射件的等离子体处理装置制造方法及图纸

技术编号:9203207 阅读:138 留言:0更新日期:2013-09-26 07:08
本发明专利技术涉及一种等离子体处理装置,其包括:处理室,在其中容纳有多个基板并且在其中执行等离子体处理过程;支撑件,其安装在处理室中,以至于将多个基板放置在与支撑件相同的平面上;喷射件,其与支撑件相对布置,并且其具有多个独立的挡板,用于从与放置在支撑件上的多个基板中的每个相应的位置独立地喷射至少一种反应气体和净化气体;以及驱动件,其构造为使支撑件或喷射件旋转,使得喷射件的挡板顺序环绕在放置于支撑件上的多个基板中的每一个的周围及上方。喷射件包括等离子体发生器,其安装在多个挡板中的喷射反应气体的至少一个挡板上,以便从喷射到基板上的反应气体产生等离子体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:朴用城李成光金东烈丰田一行笠原修稻田哲明
申请(专利权)人:国际电气高丽株式会社株式会社日立国际电气
类型:
国别省市:

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