具有后表面隔离的半导体装置制造方法及图纸

用于独立地连接半导体装置的一部分中的周围材料与其各自的装置的电接触的电路、结构及技术。为达到这个目的，提供了一或多个导电阱的组合，所述一或多个导电阱在至少一个偏置极性电气隔离。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：亚历山大·利道，曹建军，罗伯特·比奇，J·斯特赖敦，阿兰娜·纳卡塔，赵广元，
申请(专利权)人：宜普电源转换公司，
类型：
国别省市：