单晶硅晶片的制造方法及退火晶片技术

技术编号：9202270 阅读：164 留言：0更新日期：2013-09-26 06:03

本发明专利技术是一种单晶硅晶片的制造方法，其是在非氮化性环境下，以1150～1300℃，对单晶硅晶片进行1～120分钟的热处理，其中，所述单晶硅晶片是利用以直拉法培育而成的V区域的单晶硅棒而得，并且氧浓度不足7ppma，氮浓度为1×1013～1×1014atoms/cm3。由此，提供一种单晶硅晶片的制造方法，其使用以能够对应大口径的CZ法制造而成的V区域的晶片，消除主体中的缺陷，并且即使不进行中子照射，面内电阻率分布也与进行中子照射时为相同水平，由此，制造一种可以应用于IGBT的低成本的单晶硅晶片。