当前位置: 首页 > 专利查询>阮树成专利>正文

太阳能电源双全桥注入锁相功率合成无极灯组制造技术

技术编号:9201280 阅读:149 留言:0更新日期:2013-09-26 04:51
本发明专利技术涉及电光源技术领域,具体是一种太阳能电源双全桥注入锁相功率合成无极灯组。两个RC振荡器共接电阻R3、电容C4同步振荡,自振荡芯片4及全桥逆变器A输出功率变压器T1与自振荡芯片6及全桥逆变器B输出功率变压器T2反相馈入相加耦合器,功率合成经磁环电感耦合至无极灯管组,基准晶振信号经分频器注入两个自振荡芯片4、6的RC振荡器锁定相位,获取大功率照明避免器件温升过高振荡频率变化功率失衡灯光下降,灯管异常电流检测器信号经三极管接入两个自振荡芯片振荡器SD端,控制振荡快速停振关断全桥逆变器功率MOS管。适用于太阳能电源供电的会议室、大型客厅及居家等场合照明。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种太阳能电源双全桥注入锁相功率合成无极灯组,包括太阳能电源、无极灯管组,其特征在于:还包括基准晶振、分频器、两个自振荡芯片、全桥逆变器A、全桥逆变器B、相加耦合器、灯管电路,其中,基准晶振由石英晶体谐振器、两个反相器及电阻、电容组成,第一个反相器输入与输出两端跨接偏置电阻,并分别并接接地电容,同时,还跨接串联微调电容的石英晶体谐振器,基准晶振输出信号经第二个反相器接入分频器,自振荡芯片内含振荡器、全桥逆变驱动电路,两个自振荡芯片振荡器共接电阻R3、电容C4同步振荡,输出分别经全桥逆变驱动电路连接均由四个功率MOS场效应管两组互补半桥构成的全桥逆变器A、全桥逆变器B,自振荡芯片及全桥逆变器A输出功率变压器T1与自振荡芯片及全桥逆变器B输出功率变压器T2反相馈入相加耦合器功率合成,经灯管电路磁环电感耦合无极灯管组启辉,基准晶振信号经分频器注入两个自振荡芯片EXO端锁定相位,灯管电路异常电流检测信号经三极管接入两个自振荡芯片SD端,控制振荡快速停振关断全桥逆变器功率MOS场效应管,太阳能电源接入基准晶振、分频器、自振荡芯片及全桥逆变器A和自振荡芯片及全桥逆变器B的电源端。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:阮树成
申请(专利权)人:阮树成
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1