【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种设备，包括：第一电压轨；第二电压轨；第一P型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)PMOS器件，其位于所述第一电压轨与所述第二电压轨之间，所述第一PMOS器件配置为响应于所述第一PMOS器件被激活而将所述第一电压轨电连接于所述第二电压轨；第二PMOS器件，配置为响应于所述第二PMOS器件被激活且所述第一PMOS器件被去激活而向所述第二电压轨提供由电荷泵器件产生的电荷泵电压；传输门；以及驱动器电路，其连接于所述传输门，并配置为基于所述第二电压轨的电压而操作。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：N·加涅，科奈斯·P·斯诺登，
申请(专利权)人：快捷半导体苏州有限公司，快捷半导体公司，
类型：发明
国别省市：
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