【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种激光器有源区，其特征在于：所述有源区包括一多量子阱结构，所述多量子阱结构中势阱层的材料为InGaAsP，所述量子阱结构中势垒层的材料为InGaAlAs，所述多量子阱结构的周期数为K，K的范围是3～20。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：曾徐路，董建荣，李奎龙，孙玉润，于淑珍，赵勇明，赵春雨，
申请(专利权)人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：发明
国别省市：
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