【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种GaN基发光二极管外延片用衬底，包括蓝宝石衬底层（1）、Buffer—缓冲层（2）、N型GaN层（3）、MQW发光层（5）以及P型GaN层（6），其特征在于：所述蓝宝石衬底层（1）为图形衬底，蓝宝石衬底层（1）上阵列式分布有多个图形凸起（11），图形凸起（11）上包覆有图形凸起掩膜，各图形凸起（11）之间的间隔为1μm，各图形凸起（11）竖截面与蓝宝石衬底层（1）接触长度为2μm，各图形凸起（11）的高度为1.6μm。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：芦玲，张向飞，钱仁海，刘坚，
申请(专利权)人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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