【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种可调控能带的UV?LED多量子阱结构装置，其包括至少一个能带被调控的量子阱结构，该能带调控量子阱结构由量子阱势垒层和组分渐变量子阱势阱层交替生长而成。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张连，曾建平，魏同波，闫建昌，王军喜，李晋闽，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。