光电二极管制造技术

本发明专利技术提供了一种光电二极管，其包括有一第一型基底，而第一型基底内包含一第二型掺杂井与一第二型掺杂区，并形成一隔离层包围第二型掺杂井且与第二型掺杂井并不接触；第二型掺杂区形成于第二型掺杂井内，并且从第二型掺杂井的表面延伸；一保护层，覆盖第一型基底；一接触导体，贯穿保护层，并且包括一接触层与一导电条；该接触层形成于该导电条的一端，接触并连接该第二型掺杂区。与先前技术相比较，本发明专利技术光电二极管的隔离区域与第二型掺杂井并不接触，以避免隔离层与主动区域之间界面缺陷所可能导致的暗电流干扰。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种光电二极管，其特征在于，包括：一第一型基底，包含一上表面；一第二型掺杂井，设置于该第一型基底内，该第一型基底与该第二型掺杂井相邻接面区域为一PN连接界面；一第二型掺杂区，形成于该第二型掺杂井内，并且从该第二型掺杂井的表面延伸；一隔离区域，形成于该第一型基底内，并且不接触该第二型掺杂井；一保护层，形成于该第一型基底的上表面，并且覆盖该第二型掺杂区与该第二型掺杂井；以及一接触导体，贯穿该保护层，并且包括一接触层与一导电条，其中该接触层形成于该导电条的一端，并且接触及连接该第二型掺杂区。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张云山，
申请(专利权)人：林大伟，张云山，
类型：发明
国别省市：