一种双色量子阱红外光探测器制造技术

本发明专利技术公开了一种基于表面等离子体和光栅散射效应的双色量子阱红外探测器，其包括一层半导体衬底层；一位于所述衬底上的缓冲层；一位于所述缓冲层上的下接触层，且该层连接探测器的下电极；一位于所述下接触层上的第一量子阱层；一位于所述第一量子阱层上的中间接触层，且该层连接探测器的中间电极；一位于所述中间接触层上的第二量子阱层；一位于所述第二量子阱层上的上接触层，且该层连接探测器的上电极；一位于所述上接触层上的金属层，该金属层中具有光栅结构。本发明专利技术的优点是通过金属亚波长光栅进行光耦合，利用所产生的表面等离子体和光散射效应，实现了双色量子阱结构对垂直入射光的有效吸收。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种基于表面等离子体和光栅散射效应的双色量子阱红外探测器(100)，其包括一层半导体衬底层(108)；一位于所述衬底上的缓冲层(107)；一位于所述缓冲层上的下接触层(106)，且该层连接探测器的下电极；一位于所述下接触层上的第一量子阱层(105)；一位于所述第一量子阱层上的中间接触层(104)，且该层连接探测器的中间电极；一位于所述中间接触层上的第二量子阱层(103)；一位于所述第二量子阱层上的上接触层(102)，且该层连接探测器的上电极；一位于所述上接触层上的金属层(101)，该金属层中具有光栅结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：宋国峰，许斌宗，刘杰涛，胡海峰，韦欣，王青，徐云，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：