深紫外探测器及其制备方法技术

技术编号:9199432 阅读:205 留言:0更新日期:2013-09-26 03:24
本发明专利技术公开了一种深紫外探测器及其制备方法。所述深紫外探测器包括金属电极和材料为MgxZn1-xO的薄膜层,所述金属电极通过一过渡层与所述薄膜层连接,所述过渡层的材料选择成能够降低所述薄膜层与所述金属电极之间的肖特基势垒。本发明专利技术通过在金属电极与MgxZn1-xO深紫外探测材料之间插入一掺杂薄层,降低了金属电极和MgxZn1-xO之间的肖特基势垒,从而提高光生载流子的收集效率,改善MgxZn1-xO深紫外探测器的光响应度等器件性能。并且本发明专利技术制造工艺简单,适合大规模产业化应用。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种深紫外探测器,包括金属电极和材料为MgxZn1?xO的薄膜层,其特征在于,所述金属电极通过一过渡层与所述薄膜层连接,所述过渡层的材料选择成能够降低所述薄膜层与所述金属电极之间的肖特基势垒。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:梅增霞侯尧楠梁会力叶大千刘尧平杜小龙
申请(专利权)人:中国科学院物理研究所
类型:发明
国别省市:

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