【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括栅极、源电极、漏电极、栅极绝缘层、半导体层和欧姆接触层，其特征在于，所述欧姆接触层位于所述半导体层的侧面并与所述半导体层的侧面接触。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：孔祥永，成军，王东方，袁广才，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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