【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：形成薄膜的工序，通过进行规定次数包含下述工序的循环而在所述衬底上形成至少含有所述规定元素及碳的薄膜，所述工序为对处理容器内的衬底供给含有规定元素和卤元素的原料气体的工序和对所述处理容器内的所述衬底供给胺类气体的工序；和对副产物进行改性的工序，通过向所述薄膜形成后的所述处理容器内供给氮化气体而对附着于所述处理容器内的副产物进行改性。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：岛本聪，渡桥由悟，桥本良知，广濑义朗，
申请(专利权)人：株式会社日立国际电气，
类型：发明
国别省市：
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