一种窄线宽电极的电子元件制造方法技术

一种窄线宽电极的电子元件制作方法，电极是线宽小于50μm、线宽极差在±1.5μm以内、线厚极差±1μm以内的光刻电极，电极制作步骤如下：1)制作薄膜基片；2)在薄膜基片表面涂布感光性金属浆料层制作感光基片；3)采用设计有电极图案的掩膜板对感光基片进行光刻制作光刻电极。本发明专利技术方法基于光刻技术，掩膜板的电极图案根据所需光刻电极形状设计制作。采用电极图案的线宽为20μm的掩膜板，可以制作线宽为18.5μm～21.5μm的光刻电极；针对20μm线宽电极设计，可以实现±1μm光刻电极的线宽公差，以满足电极线宽小于50μm、线宽极差在±1.5μm以内、线厚极差±1μm以内的小尺寸高精度电子元器件制作要求。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种窄线宽电极的电子元件制作方法，包括以下步骤：对制作出的电极进行叠层，形成陶瓷生坯，再对所述陶瓷生坯依次完成切割、排胶、烧结、倒角、制作端电极和电镀，完成电子元件制作，其特征在于：所述电极是线宽小于50μm、线宽极差在±1.5μm以内、线厚极差±1μm以内的电极，是采用光刻技术制作的光刻电极，其制作步骤如下：1)制作薄膜基片；2)涂布并制作感光基片，所述涂布是丝网印刷涂布和喷涂布中的一种，在薄膜基片表面涂布感光性金属浆料层；3)制作光刻电极，所述光刻是采用设计有电极图案的掩膜板对感光基片进行光刻。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郑卫卫，吴震，戴春雷，孙峰，刘先忺，
申请(专利权)人：深圳顺络电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：